中企同和科技有限公司

可雷切芯片电阻(WB系列): 可单边或双边打线 小型尺寸0201、0402、0603及其它*客制化尺寸， 可依客户*规格需求*。 精度：±0.1%，±0.5%，±1%，±5%，±10%, 低TCR 25ppm/℃ ，电阻值范围：1Ω~332KΩ 应用在LED定电流控制，小型化模块及混合电路(Hybrid Circuits)等等。

打线也叫Wire Bonding (压焊，也称为绑定，键合，丝焊)是指使用金属丝(金线、铝线等)，利用热压或*声能源，完成微电子器件中固态电路内部互连接线的连接，即芯片与电路或引线框架之间的连接。

产品特性：

薄膜钝化镍铬电阻元件 

公差为±0.1％ 

*低的温度系数±25PPM/℃ 

阻值范围宽 

自定义的键合模式设计 

产品参数：

规格尺寸： 0201、0402、0603；

阻值范围：10Ω~332KΩ（10ohm~332K ohm）；

精度：±0.1%、±0.5%、±1%、±5%、±10%；

功率：1/16W、1/10W、1/8W、1/4W、1/3W、3/4W、1W；

温漂系数 (TCR)：25ppm、50ppm、100ppm℃；

使用温度范围：-55°c -- +155°c；

工作电压：15V~50V；

（注：Viking能够按客户的要求制造需求的尺寸和阻值）

主要应用：

LED的恒流应用 

*设备 

测试/测量设备 

混合芯片板电路 

多芯片模块（MCM）封装 

集成的MMIC

打线

打线也叫Wire Bonding (压焊，也称为绑定，键合，丝焊)是指使用金属丝(金线、铝线等)，利用热压或*声能源，完成微电子器件中固态电路内部互连接线的连接，即芯片与电路或引线框架之间的连接。

打线分类：

1、热*声/金丝球焊 

该工艺利用加热温度和*声能量使被压紧在一起的两种金属界面间形成焊接键合。目前90%以上的半导体封装技术采用该工艺。 

2、*声楔焊 

利用*声能量作用于压紧在一起的两种金属间形成键合 

3、热压焊 

利用加热及压紧力形成键合。该技术1957年在贝尔实验室被使用，是*早的封装工艺技术，但现在已很少在用。